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武汉含锗废料回收,诚信合作

2026-01-26 08:51:01 7次浏览

价 格:面议

半导体掺杂与靶材:高纯度锗锭加工为锗粉或锗合金靶材,用于半导体芯片的掺杂工艺(如锗硅外延层),提升芯片的导电性与稳定性;同时用于制备薄膜太阳能电池的吸收层,增强光 - 电转换效率。

特种光纤制造:用于制备耐高温光纤、抗辐射光纤(如核电厂通信光纤),锗掺杂可增强光纤的机械强度与环境适应性,适配极端工况下的通信需求。

固态电池与储能:锗基化合物(如锗硫化物)用于固态电池的电解质或电极材料,可提升离子传导率与电池循环寿命,目前处于实验室研发向产业化过渡阶段。

核心工艺特点:​

优势:设备成熟、产能大(单炉可生产 300~600mm 长锗锭)、纯度可控(6N~9N)、晶体完整性好;​

局限:对原料初始纯度要求较高(需 5N 以上粗锗),单炉生产周期长(8~20 道次,合计耗时 12~36 小时)。

被浏览过 4746721 次    版权所有:湖北省锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(ID:35122611) 颜艳珍

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